Справочник MOSFET. STF11N65M5

 

STF11N65M5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STF11N65M5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
 

 Аналог (замена) для STF11N65M5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF11N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1017K  st
stb11n65m5 std11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5.pdfpdf_icon

STF11N65M5

STB11N65M5, STD11N65M5 STF11N65M5, STP11N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK, DPAK, TO-220FP and TO-220 packages FeaturesTABTAB32 VDS @311RDS(on)max. IDOrder codeDPAK2D PAKTjmax.TABSTB11N65M5STD11N65M5710 V 0.48 9 A3231 STF11N65M521TO-220TO-220FPSTP11N65M5D(2, TAB) Extremel

 ..2. Size:1276K  st
stb11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5 stu11n65m5.pdfpdf_icon

STF11N65M5

STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5, STP11N65M5, STU11N65M5N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet production dataFeaturesTABTAB2VDSS @ RDS(on) 2 3Order codes ID 31TJmax max 132DPAKD2PAK 1STB11N65M5TO-220FPSTD11N65M5TABSTF11N65M5 710 V

 5.1. Size:447K  st
stf11n65m2-045y.pdfpdf_icon

STF11N65M5

STF11N65M2(045Y)DatasheetN-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads packageFeaturesVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codeSTF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge321 Excellent output capacitance (COSS) profileTO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protectedD(2) Applications

 5.2. Size:866K  st
stf11n65m2 stf11n65m2 stfi11n65m2.pdfpdf_icon

STF11N65M5

STF11N65M2, STFI11N65M2N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDSTF11N65M2650 V 0.67 7 ASTFI11N65M2 Extremely low gate charge3 Lower RDS(on) x area vs previous generation12231 Low gate input resistance2TO-220FPI P

Другие MOSFET... STF10N105K5 , STF10N60M2 , STF10N80K5 , STF10N95K5 , STF10P6F6 , STF110N10F7 , STF11N50M2 , STF11N65M2 , IRF740 , STF11NM60N , STF11NM65N , IRFU540Z , IRFU540ZPBF , IRFU5410PBF , IRFU5505PBF , IRFU6215PBF , IRFU9010PBF .

History: DCC030M120G2 | 2SK2182 | STP11NM50N | LND150N3 | AP4800AGM | HGB017N10S | DHB8290

 

 
Back to Top

 


 
.