STF11N65M5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STF11N65M5

Маркировка: 11N65M5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 18 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для STF11N65M5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STF11N65M5 даташит

 ..1. Size:1017K  st
 stb11n65m5 std11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5.pdf pdf_icon

STF11N65M5

STB11N65M5, STD11N65M5 STF11N65M5, STP11N65M5 Datasheet N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh M5 Power MOSFETs in a DPAK, D PAK, TO-220FP and TO-220 packages Features TAB TAB 3 2 VDS @ 3 1 1 RDS(on)max. ID Order code DPAK 2 D PAK Tjmax. TAB STB11N65M5 STD11N65M5 710 V 0.48 9 A 3 2 3 1 STF11N65M5 2 1 TO-220 TO-220FP STP11N65M5 D(2, TAB) Extremel

 ..2. Size:1276K  st
 stb11n65m5 stf11n65m5 stp11n65m5 stu11n65m5.pdf pdf_icon

STF11N65M5

STB11N65M5, STD11N65M5, STF11N65M5, STP11N65M5, STU11N65M5 N-channel 650 V, 0.43 typ., 9 A MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packages Datasheet production data Features TAB TAB 2 VDSS @ RDS(on) 2 3 Order codes ID 3 1 TJmax max 1 3 2 DPAK D2PAK 1 STB11N65M5 TO-220FP STD11N65M5 TAB STF11N65M5 710 V

 5.1. Size:447K  st
 stf11n65m2-045y.pdf pdf_icon

STF11N65M5

STF11N65M2(045Y) Datasheet N-channel 650 V, 0.60 typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP narrow leads package Features VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STF11N65M2(045Y) 650 V 0.68 7 A 25 W Extremely low gate charge 3 2 1 Excellent output capacitance (COSS) profile TO-220FP narrow leads 100% avalanche tested Zener-protected D(2) Applications

 5.2. Size:866K  st
 stf11n65m2 stf11n65m2 stfi11n65m2.pdf pdf_icon

STF11N65M5

STF11N65M2, STFI11N65M2 N-channel 650 V, 0.6 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packages Datasheet - preliminary data Features Order codes VDS RDS(on) max ID STF11N65M2 650 V 0.67 7 A STFI11N65M2 Extremely low gate charge 3 Lower RDS(on) x area vs previous generation 1 2 2 3 1 Low gate input resistance 2 TO-220FP I P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STF10N105K5, STF10N60M2, STF10N80K5, STF10N95K5, STF10P6F6, STF110N10F7, STF11N50M2, STF11N65M2, IRF740, STF11NM60N, STF11NM65N, IRFU540Z, IRFU540ZPBF, IRFU5410PBF, IRFU5505PBF, IRFU6215PBF, IRFU9010PBF