IRFY130CM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFY130CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
Аналог (замена) для IRFY130CM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFY130CM даташит
irfy130cm.pdf
PD - 91286D IRFY130C,IRFY130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY130C 0.18 14.4A Ceramic IRFY130CM 0.18 14.4A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves ve
irfy130c.pdf
PD - 91286D IRFY130C,IRFY130CM POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY130C 0.18 14.4A Ceramic IRFY130CM 0.18 14.4A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves ve
irfy130m.pdf
PD - 94183 IRFY130,IRFY130M POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY130 0.18 14.4A Glass IRFY130M 0.18 14.4A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low on
irfy130.pdf
PD - 94183 IRFY130,IRFY130M POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY130 0.18 14.4A Glass IRFY130M 0.18 14.4A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low on
Другие IGBT... IRFU9310PBF, IRFU9N20DPBF, IRFUC20PBF, IRFY044CM, IRFY044M, IRFY110, IRFY110C, IRFY11N50CMA, IRF9540, IRFY130M, IRFY140CM, IRFY140M, IRFY140-T257, IRFY210, IRFY210C, IRFY220, IRFY230
History: AP40T03GP | BLS65R560-D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH
Popular searches
30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor




