IRFY130CM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFY130CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRFY130CM Datasheet (PDF)
irfy130cm.pdf

PD - 91286DIRFY130C,IRFY130CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY130C 0.18 14.4A CeramicIRFY130CM 0.18 14.4A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve
irfy130c.pdf

PD - 91286DIRFY130C,IRFY130CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY130C 0.18 14.4A CeramicIRFY130CM 0.18 14.4A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve
irfy130m.pdf

PD - 94183IRFY130,IRFY130MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY130 0.18 14.4A GlassIRFY130M 0.18 14.4A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on
irfy130.pdf

PD - 94183IRFY130,IRFY130MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY130 0.18 14.4A GlassIRFY130M 0.18 14.4A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SQ2309ES | FDG6320C | SSF65R420S2 | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | NCEAP016N10LL
History: SQ2309ES | FDG6320C | SSF65R420S2 | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | NCEAP016N10LL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor