IRFY140CM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFY140CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 145 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
Аналог (замена) для IRFY140CM
IRFY140CM Datasheet (PDF)
irfy140cm.pdf

PD - 91287CIRFY140C,IRFY140CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140C 0.077 16*A CeramicIRFY140CM 0.077 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve
irfy140c.pdf

PD - 91287CIRFY140C,IRFY140CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140C 0.077 16*A CeramicIRFY140CM 0.077 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve
irfy140.pdf

PD - 94185IRFY140,IRFY140MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140 0.077 16*A GlassIRFY140M 0.077 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on
irfy140m.pdf

PD - 94185IRFY140,IRFY140MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140 0.077 16*A GlassIRFY140M 0.077 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on
Другие MOSFET... IRFUC20PBF , IRFY044CM , IRFY044M , IRFY110 , IRFY110C , IRFY11N50CMA , IRFY130CM , IRFY130M , IRFP260 , IRFY140M , IRFY140-T257 , IRFY210 , IRFY210C , IRFY220 , IRFY230 , IRFY230C , IRFY240CM .
History: STD11NM65N | VBTA3230NS | AFC6332
History: STD11NM65N | VBTA3230NS | AFC6332



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement