Справочник MOSFET. IRFY140-T257

 

IRFY140-T257 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFY140-T257
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 59 nC
   trⓘ - Время нарастания: 145 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: TO-257AA

 Аналог (замена) для IRFY140-T257

 

 

IRFY140-T257 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  semelab
irfy140-t257.pdf

IRFY140-T257
IRFY140-T257

IRFY140-T257MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)1.14 (0.045)FOR HIRELAPPLICATIONS3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)VDSS 100V1 2 3ID(cont) 18ARDS(on) 0.0920.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035) FEATURES2.54 (0.100) 3.05 (0.120)BSC BSC HERMETICALLY SEALED TO257AA

 7.1. Size:160K  international rectifier
irfy140c.pdf

IRFY140-T257
IRFY140-T257

PD - 91287CIRFY140C,IRFY140CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140C 0.077 16*A CeramicIRFY140CM 0.077 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve

 7.2. Size:160K  international rectifier
irfy140.pdf

IRFY140-T257
IRFY140-T257

PD - 94185IRFY140,IRFY140MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140 0.077 16*A GlassIRFY140M 0.077 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on

 7.3. Size:159K  international rectifier
irfy140cm.pdf

IRFY140-T257
IRFY140-T257

PD - 91287CIRFY140C,IRFY140CMPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140C 0.077 16*A CeramicIRFY140CM 0.077 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ve

 7.4. Size:159K  international rectifier
irfy140m.pdf

IRFY140-T257
IRFY140-T257

PD - 94185IRFY140,IRFY140MPOWER MOSFET100V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY140 0.077 16*A GlassIRFY140M 0.077 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top