Справочник MOSFET. IXFN34N80

 

IXFN34N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFN34N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN34N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  ixys
 ixfn34n80.pdf pdf_icon

IXFN34N80

HiPerFETTM Power MOSFETsIXFN 34N80 VDSS = 800 VSingle DieMOSFETID25 = 34 ARDS(on) = 0.24 WN-Channel Enhancement Mode DAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrtrr 250 nsPreliminary data sheetSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 BE153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transi

 7.1. Size:570K  ixys
 ixfn34n100.pdf pdf_icon

IXFN34N80

IXFN 34N100 VDSS = 1000VHiPerFETTMID25 = 34APower MOSFETsRDS(on) = 0.28Single Die MOSFETDN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trr GSSSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VGVGS Continuous 20 VVGSM Tran

 8.1. Size:104K  ixys
 ixfn340n07.pdf pdf_icon

IXFN34N80

HiPerFETTMIXFN 340N07 VDSS = 70 VPower MOSFETsID25 = 340 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 4 mD trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeGAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrSSSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C70 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 70 VGVGS Co

 9.1. Size:192K  ixys
 ixfk32n60 ixfn32n60 ixfk36n60 ixfn36n60.pdf pdf_icon

IXFN34N80

IXFK 32N60 IXFN 32N60IXFK 36N60 IXFN 36N60Preliminary DataVDSS ID25 RDS(on) trrIXFK/FN 36N60 600V 36A 0.18 250nsHiPerFETTM Power MOSFETIXFK/FN 32N60 600V 32A 0.25 250nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AA (IXFK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXFK IXFNVDSS TJ = 25C to 150C 600 600 VGVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFN230N10 , IXFN24N100 , IXFN25N90 , IXFN26N90 , IXFN27N80 , IXFN280N07 , IXFN32N60 , IXFN340N07 , 5N50 , IXFN36N100 , IXFN36N60 , IXFN39N90 , IXFN44N50 , IXFN44N50U2 , IXFN44N50U3 , IXFN44N60 , IXFN44N80 .

History: APT12M80B | APT30M40B2VRG | STP5NB40 | CS4N65U | TPC8012-H | IXFH22N50P | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.