Справочник MOSFET. IRFY440-T257

 

IRFY440-T257 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFY440-T257
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 68.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-257AA

 Аналог (замена) для IRFY440-T257

 

 

IRFY440-T257 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:33K  semelab
 irfy440-t257.pdf

IRFY440-T257 IRFY440-T257

IRFY440-T257MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)1.14 (0.045)FOR HIRELAPPLICATIONS3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)VDSS 500V1 2 3ID(cont) 5.5ARDS(on) 0.850.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035) FEATURES2.54 (0.100) 3.05 (0.120)BSC BSC HERMETICALLY SEALED TO257AA

 7.1. Size:183K  international rectifier
 irfy440cm.pdf

IRFY440-T257 IRFY440-T257

PD-91292DIRFY440C, IRFY440CMPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY440C 0.85 7.0A CeramicIRFY440CM 0.85 7.0A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.TO-257AAThe efficient geometry design achieves very lo

 7.2. Size:132K  international rectifier
 irfy440.pdf

IRFY440-T257 IRFY440-T257

PD - 94193IRFY440,IRFY440MPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY440 0.85 7.0A GlassIRFY440M 0.85 7.0A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-sta

 7.3. Size:133K  international rectifier
 irfy440c.pdf

IRFY440-T257 IRFY440-T257

PD - 91292CIRFY440C,IRFY440CMPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY440C 0.85 7.0A GlassIRFY440CM 0.85 7.0A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low o

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top