STF24N60M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STF24N60M2
Маркировка: 24N60M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
trⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для STF24N60M2
STF24N60M2 Datasheet (PDF)
stf24n60m2 stfi24n60m2 stfw24n60m2.pdf
STF24N60M2, STFI24N60M2, STFW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF24N60M2321 1 STFI24N60M2 650 V 0.19 18 A23TO-220FPSTFW24N60M2I2PAKFP(TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area
stf24n60dm2.pdf
STF24N60DM2N-channel 600 V, 0.175 typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP packageDatasheet - production dataFeaturesVDS @ RDS(on) Order code IDTJmax maxSTF24N60DM2 650 V 0.20 18 A Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 321 capacitanceTO-220FP Low on-resistance 100% avalanche tested Extremely high dv/dt rugg
stb24n65m2 stf24n65m2 stp24n65m2.pdf
STB24N65M2, STF24N65M2, STP24N65M2 N-channel 650 V, 0.185 typ., 16 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK, TO-220FP and TO-220 packages Datasheet - production data Features Order codes V R max I DS DS(on) DSTB24N65M2 STF24N65M2 650 V 0.23 16 A STP24N65M2 Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% avalanche tested Ze
stf24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf
STF24NM60NSTP24NM60N, STW24NM60NN-channel 600 V, 0.168 , 17 A MDmesh II Power MOSFETTO-220FP, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.STF24NM60N 650 V
stf24nf12.pdf
STF24NF12N-channel 120V - 0.070 - 24A TO-220FPLow gate charge STripFET II MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTF24NF12 120V
stf24nm60n sti24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf
STF24NM60N, STI24NM60N, STP24NM60N, STW24NM60NN-channel 600 V, 0.168 typ., 17 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB Features Order codes VDS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF24NM60N3 322 11STI24NM60NI2PAKTO-220FP650 V 0.19 17 ASTP24NM60NTABSTW24NM60N 100% avalanche tested332 L
stb24nm65n sti24nm65n stf24nm65n stp24nm65n stw24nm65n.pdf
STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65NSTB24NM65N - STP24NM65NN-channel 650 V - 0.16 - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKI2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@TJmax)323121STB24NM65N 710 V
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918