STF8NM60N datasheet, аналоги, параметры транзистора

STF8NM60N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STF8NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

Аналог (замена) для STF8NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STF8NM60N даташит

..1. Size:698K st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

..2. Size:698K st
stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

..3. Size:700K st
stp8nm60n stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n.pdf pdf_icon

STx8NM60N N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STB8NM60N 650 V

0.1. Size:726K st
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf pdf_icon

STD8NM60ND, STF8NM60ND STP8NM60ND, STU8NM60ND N-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK Features VDSS RDS(on) Type ID 3 (@Tjmax) max 2 1 3 2 STD8NM60ND 650 V