STFI10N62K3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STFI10N62K3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 620 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: I2PAKFP

Аналог (замена) для STFI10N62K3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFI10N62K3 даташит

 ..1. Size:948K  st
 stf10n62k3 stfi10n62k3 sti10n62k3 stp10n62k3.pdf pdf_icon

STFI10N62K3

STF10N62K3, STFI10N62K3, STI10N62K3, STP10N62K3 N-channel 620 V, 0.68 typ., 8.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, I PAK, TO-220 packages Datasheet - production data Features RDS(on) Type VDSS max ID Pw 3 2 STF10N62K3 1 1 2 8.4 A(1) 30 W 3 TO-220FP STFI10N62K3 I PAKFP 620 V

 ..2. Size:948K  st
 stfi10n62k3.pdf pdf_icon

STFI10N62K3

STF10N62K3, STFI10N62K3, STI10N62K3, STP10N62K3 N-channel 620 V, 0.68 typ., 8.4 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, I PAKFP, I PAK, TO-220 packages Datasheet - production data Features RDS(on) Type VDSS max ID Pw 3 2 STF10N62K3 1 1 2 8.4 A(1) 30 W 3 TO-220FP STFI10N62K3 I PAKFP 620 V

 6.1. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

STFI10N62K3

 6.2. Size:1300K  st
 stb10n65k3 stf10n65k3 stfi10n65k3 stp10n65k3.pdf pdf_icon

STFI10N62K3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STF8N80K5, STF8NK85Z, STF8NM60N, STF9HN65M2, STF9N60M2, STF9N65M2, STF9NK80Z, STF9NM50N, IRF630, STFI10N65K3, STFI11N65M2, STFI12N60M2, STFI130N10F3, STFI13N60M2, STFI13N65M2, STFI13N80K5, STFI15N65M5