Справочник MOSFET. STFI13N65M2

 

STFI13N65M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STFI13N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.43 Ohm
   Тип корпуса: I2PAKFP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STFI13N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  st
stf13n65m2 stfi13n65m2.pdfpdf_icon

STFI13N65M2

STF13N65M2, STFI13N65M2N-channel 650 V, 0.37 typ., 10 A MDmesh M2 PowerMOSFETs in TO-220FP and IPAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS max IDSTF13N65M2650 V 0.43 10ASTFI13N65M2 Extremely low gate charge321213 Excellent output capacitance (Coss) profileTO-220FP I2PAKFP (TO-281) 100% avalanche tested

 6.1. Size:1131K  st
stf13n60m2 stfi13n60m2.pdfpdf_icon

STFI13N65M2

STF13N60M2, STFI13N60M2N-channel 600 V, 0.35 typ., 11 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP and I2PAKFP packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF13N60M2650 V 0.38 11 ASTFI13N60M232 Extremely low gate charge1123TO-220FP Lower RDS(on) x area vs previous generationI2PAKFP Low gate input r

 7.1. Size:776K  st
stfi13nm60n.pdfpdf_icon

STFI13N65M2

STFI13NM60NN-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmesh II Power MOSFET in IPAKFP packageDatasheet production dataFeaturesVDSS RDS(on) Type ID PTOT(@Tjmax) maxSTFI13NM60N 650 V

 7.2. Size:1020K  st
stfi13n80k5.pdfpdf_icon

STFI13N65M2

STFI13N80K5N-channel 800 V, 0.37 typ.,12 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAKFP packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS RDS(on) ID PTOTSTFI13N80K5 800 V 0.45 12 A 35 W Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate Industrys lowest RDS(on) x area123 Industrys best figure of

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SIHS20N50C | LR024N | 2SK2362 | NTP2955 | NCE65TF180F | SMK0460D | PMN70XPE

 

 
Back to Top

 


 
.