Справочник MOSFET. STFV4N150

 

STFV4N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STFV4N150
   Маркировка: 4N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FH
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STFV4N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:456K  st
stfv4n150.pdfpdf_icon

STFV4N150

STFV4N150 - STFW4N150STP4N150 - STW4N150N-channel 1500 V - 5 - 4 A - PowerMESH Power MOSFETTO-220 - TO-220FH - TO-247 - TO-3PFFeaturesType VDSS RDS(on) max ID33STFV4N150 1500 V

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXTH50N20 | AFN4486 | SI1016CX

 

 
Back to Top

 


 
.