Справочник MOSFET. STFW24N60M2

 

STFW24N60M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STFW24N60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO-3PF
 

 Аналог (замена) для STFW24N60M2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STFW24N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1364K  st
 stf24n60m2 stfi24n60m2 stfw24n60m2.pdf pdf_icon

STFW24N60M2

STF24N60M2, STFI24N60M2, STFW24N60M2 N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in TO-220FP, I2PAKFP and TO-3PF packagesDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max IDSTF24N60M2321 1 STFI24N60M2 650 V 0.19 18 A23TO-220FPSTFW24N60M2I2PAKFP(TO-281) Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area

 9.1. Size:860K  st
 stfw2n105k5.pdf pdf_icon

STFW24N60M2

STFW2N105K5N-channel 1050 V, 6 typ., 1.5 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a TO-3PF packageDatasheet - preliminary dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTFW2N105K5 1050 V 8 1.5 A 30 W111 Worldwide best FOM (figure of merit) Ultra low gate charge3 100% avalanche tested21 Zener-protectedTO-3PFApplications Switching

Другие MOSFET... STFI4N62K3 , STFI6N62K3 , STFI6N65K3 , STFI6N80K5 , STFI7N80K5 , STFI8N80K5 , STFV4N150 , STFW1N105K3 , IRFZ24N , STFW2N105K5 , STFW38N65M5 , STFW3N170 , STFW40N60M2 , STFW45N65M5 , STFW69N65M5 , STH110N10F7-2 , STH110N10F7-6 .

History: WSD4038DN | NTA4153NT1 | HUF75617D3ST

 

 
Back to Top

 


 
.