Справочник MOSFET. STH140N8F7-2

 

STH140N8F7-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH140N8F7-2
   Маркировка: 140N8F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 96 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2
 

 Аналог (замена) для STH140N8F7-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH140N8F7-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:766K  st
sth140n8f7-2.pdfpdf_icon

STH140N8F7-2

STH140N8F7-2 N-channel 80 V, 3.3 m typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH140N8F7-2 80 V 4 m 90 A 200 W Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity rss iss High avalanche ruggedness Applicati

 7.1. Size:696K  st
sth140n6f7.pdfpdf_icon

STH140N8F7-2

STH140N6F7-2, STH140N6F7-6 N-channel 60 V, 0.0028 typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFETs in HPAK-2 and HPAK-6 packages Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTH140N6F7-2 60 V 0.0032 80 A 158 W STH140N6F7-6 Among the lowest R on the market DS(on) Excellent figure of merit (FoM) Low C /C ratio for EMI immunity

 7.2. Size:258K  inchange semiconductor
isth140n6f7.pdfpdf_icon

STH140N8F7-2

Isc N-Channel MOSFET Transistor ISTH140N6F7FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 9.1. Size:334K  1
sth14n50 sth14n50fi stw14n50.pdfpdf_icon

STH140N8F7-2

Другие MOSFET... STFW3N170 , STFW40N60M2 , STFW45N65M5 , STFW69N65M5 , STH110N10F7-2 , STH110N10F7-6 , STH12N120K5-2 , STH130N10F3-2 , 7N60 , STH150N10F7-2 , STH15NB50FI , STH160N4LF6-2 , STH170N8F7-2 , STH175N4F6-2AG , STH175N4F6-6AG , STH180N10F3-6 , STH185N10F3-2 .

History: RUH30150M | CMI80N06 | IRF830ALPBF

 

 
Back to Top

 


 
.