STH185N10F3-6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STH185N10F3-6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 97.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 786 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-6
Аналог (замена) для STH185N10F3-6
STH185N10F3-6 Datasheet (PDF)
sth185n10f3-6.pdf

STH185N10F3-6Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-6 packageDatasheet - production dataFeatures VDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTH185N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 7 AEC-Q101 qualified1 Ultra low on-resistanceH2PAK-6 100% avalanche testedApplications Switchi
sth185n10f3-2.pdf

STH185N10F3-2Automotive-grade N-channel 100 V, 180 A, 3.9 m typ., STripFET F3 Power MOSFET in a H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABSTH185N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Designed for automotive applications and 2AEC-Q101 qualified31 Ultra low on-resistanceH2PAK-2 100% avalanche testedApplications Swi
sth180n10f3-6.pdf

STH180N10F3-6N-channel 100 V, 3.9 m, 180 A, HPAK-6STripFETIII Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order codes VDSS IDTABmax.STH180N10F3-6 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistance7 100% avalanche tested1ApplicationsH2PAK-6 High current switching applicationsDescriptionThis device is an N-channel enhancement mode Figure 1. Internal schematic diagra
sth180n10f3-2.pdf

STH180N10F3-2 N-channel 100 V, 3.9 m typ.,180 A, STripFET F3 Power MOSFET in HPAK-2 package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS ID max. STH180N10F3-2 100 V 4.5 m 180 A Ultra low on-resistence 100% avalanche tested Applications Switching applications Figure 1: Internal schematic diagram Description This device is an N-cha
Другие MOSFET... STH150N10F7-2 , STH15NB50FI , STH160N4LF6-2 , STH170N8F7-2 , STH175N4F6-2AG , STH175N4F6-6AG , STH180N10F3-6 , STH185N10F3-2 , AO3401 , STH240N10F7-2 , STH240N10F7-6 , STH240N75F3-2 , STH240N75F3-6 , STH245N75F3-6 , STH260N6F6-6 , STH265N6F6-2AG , STH265N6F6-6AG .
History: IRF7380Q | WMM15N65F2 | NCE4005 | SFG10R12DF | WMN22N50C4 | HSH250N10 | RCX700N20
History: IRF7380Q | WMM15N65F2 | NCE4005 | SFG10R12DF | WMN22N50C4 | HSH250N10 | RCX700N20



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g