Справочник MOSFET. STH270N8F7-2

 

STH270N8F7-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH270N8F7-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2050 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2

 Аналог (замена) для STH270N8F7-2

 

 

STH270N8F7-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1654K  st
 sth270n8f7-2 sth270n8f7-6 stp270n8f7.pdf

STH270N8F7-2 STH270N8F7-2

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packagesDatasheet - production dataTAB FeaturesTABOrder codes VDS RDS(on) max ID2731 STH270N8F7-210.0021 STH270N8F7-6 80 V 180 AH2PAK-2 H2PAK-6STP270N8F7 0.0025 TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellen

 7.1. Size:1144K  st
 sth270n4f3-2.pdf

STH270N8F7-2 STH270N8F7-2

STH270N4F3-2N-channel 40 V, 1.4 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder codes VDS RDS(on) max IDTABSTH270N4F3-2 40 V 1.7 m 180 A Conduction losses reduced23 Low profile, very low parasitic inductance, high 1current packageH2PAK-2Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. In

 7.2. Size:543K  st
 sth270n4f3-6.pdf

STH270N8F7-2 STH270N8F7-2

STH270N4F3-6N-channel 40 V, 1.40 m, 180 A, H2PAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID (1)TABSTH270N4F3-6 40 V

 9.1. Size:1112K  st
 sth275n8f7-2ag sth275n8f7-6ag.pdf

STH270N8F7-2 STH270N8F7-2

STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AGAutomotive-grade N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A,STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6Datasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDTABTABSTH275N8F7-2AG80 V 0.0021 180 ASTH275N8F7-6AG27311 Designed for automotive applications and H2PAK-2H2PAK-6AEC-Q101 qualified Among the lowe

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top