STH270N8F7-2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH270N8F7-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-2

Аналог (замена) для STH270N8F7-2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH270N8F7-2 даташит

 ..1. Size:1654K  st
sth270n8f7-2 sth270n8f7-6 stp270n8f7.pdfpdf_icon

STH270N8F7-2

STH270N8F7-2, STH270N8F7-6, STP270N8F7 N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2, H2PAK-6 and TO-220 packages Datasheet - production data TAB Features TAB Order codes VDS RDS(on) max ID 2 7 3 1 STH270N8F7-2 1 0.0021 STH270N8F7-6 80 V 180 A H2PAK-2 H2PAK-6 STP270N8F7 0.0025 TAB Among the lowest RDS(on) on the market Excellen

 7.1. Size:1144K  st
sth270n4f3-2.pdfpdf_icon

STH270N8F7-2

STH270N4F3-2 N-channel 40 V, 1.4 m typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-2 package Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID TAB STH270N4F3-2 40 V 1.7 m 180 A Conduction losses reduced 2 3 Low profile, very low parasitic inductance, high 1 current package H2PAK-2 Applications Switching applications Description Figure 1. In

 7.2. Size:543K  st
sth270n4f3-6.pdfpdf_icon

STH270N8F7-2

STH270N4F3-6 N-channel 40 V, 1.40 m , 180 A, H2PAK STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID (1) TAB STH270N4F3-6 40 V

 9.1. Size:1112K  st
sth275n8f7-2ag sth275n8f7-6ag.pdfpdf_icon

STH270N8F7-2

STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AG Automotive-grade N-channel 80 V, 0.0017 typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID TAB TAB STH275N8F7-2AG 80 V 0.0021 180 A STH275N8F7-6AG 2 7 3 1 1 Designed for automotive applications and H2PAK-2 H2PAK-6 AEC-Q101 qualified Among the lowe

Другие IGBT... STH240N10F7-6, STH240N75F3-2, STH240N75F3-6, STH245N75F3-6, STH260N6F6-6, STH265N6F6-2AG, STH265N6F6-6AG, STH270N4F3-2, IRLB3034, STH270N8F7-6, STH275N8F7-2AG, STH275N8F7-6AG, STH310N10F7-2, STH310N10F7-6, STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, STH320N4F6-2