Справочник MOSFET. STH315N10F7-6

 

STH315N10F7-6 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH315N10F7-6
   Маркировка: 315N10F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   trⓘ - Время нарастания: 108 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STH315N10F7-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1140K  st
 sth315n10f7-2 sth315n10f7-6.pdf pdf_icon

STH315N10F7-6

STH315N10F7-2, STH315N10F7-6Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFETsDatasheet - production dataFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codesTAB TABSTH315N10F7-2100 V 2.3 m 180 ASTH315N10F7-6273 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualified2 2H PAK-6H PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the marke

 9.1. Size:683K  st
 sth310n10f7-2 sth310n10f7-6.pdf pdf_icon

STH315N10F7-6

STH310N10F7-2, STH310N10F7-6 N-channel 100 V, 1.9 m typ.,180 A, STripFET F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages Datasheet - production data TAB Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTH310N10F7-2 7100 V 2.3 m 180 A 2STH310N10F7-6 311H2PAK-6H2PAK-2 Among the lowest RDS(on) on the market Figure 1: Internal schematic diagram

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ISP25DP06LM | 2SK873 | 2N7281 | CS16N65W | CSD18537NKCS

 

 
Back to Top

 


 
.