IRHLNM87Y20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHLNM87Y20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 596 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SMD-0.2
Аналог (замена) для IRHLNM87Y20
IRHLNM87Y20 Datasheet (PDF)
irhlnm87y20.pdf
PD-97811RADIATION HARDENED IRHLNM87Y20LOGIC LEVEL POWER MOSFET20V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.2)R8 TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLNM87Y20 100K Rads (Si) 15m 17A* IRHLNM83Y20 300K Rads (Si) 15m 17A* SMD-0.2 (METAL LID)International Rectifiers R8TM Logic Level Power MOSFETsprovide simple solution to interfacing CMOS
irhlnm77110.pdf
PD-97326B2N7609U8RADIATION HARDENED IRHLNM77110LOGIC LEVEL POWER MOSFET100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLNM77110 100K Rads (Si) 0.29 6.5A IRHLNM73110 300K Rads (Si) 0.29 6.5ASMD-0.2International Rectifiers R7TM Logic Level Power MOSFETsprovide simple solution to interfacing CMOS and T
irhlnj797034.pdf
PD-97302B2N7624U3RADIATION HARDENED IRHLNJ797034LOGIC LEVEL POWER MOSFET60V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLNJ797034 100K Rads (Si) 0.072 22A* IRHLNJ793034 300K Rads (Si) 0.072 22A*SMD-0.5Features:International Rectifiers R7TM Logic Level PowerMOSFETs provide simple solution to interfa
irhlna77064.pdf
PRELIMINARYPD-97177B2N7604U2RADIATION HARDENED IRHLNA77064LOGIC LEVEL POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLNA77064 100K Rads (Si) 0.012 56A* IRHLNA73064 300K Rads (Si) 0.012 56A*SMD-2Features:International Rectifiers R7TM Logic Level PowerMOSFETs provide simple solution to i
irhlna797064.pdf
PRELIMINARYPD-97174A 2N7622U2RADIATION HARDENED IRHLNA797064LOGIC LEVEL POWER MOSFET60V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLNA797064 100K Rads (Si) 0.015 -56A* IRHLNA793064 300K Rads (Si) 0.015 -56A*SMD-2International Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:MOSFETs provide simple solutio
irhlnj77034.pdf
PD-97301C2N7606U3RADIATION HARDENED IRHLNJ77034LOGIC LEVEL POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.5)TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLNJ77034 100K Rads (Si) 0.035 22A* IRHLNJ73034 300K Rads (Si) 0.035 22A*SMD-0.5International Rectifiers R7TM Logic Level Power MOSFETsprovide simple solution to interfacing CMOS and
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918