Справочник MOSFET. IXFR30N50Q

 

IXFR30N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR30N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 150 nC
   trⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR30N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:91K  ixys
 ixfr30n50q ixfr32n50q.pdf pdf_icon

IXFR30N50Q

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsISOPLUS247TM IXFR 30N50Q 500 V 29 A 0.16 WIXFR 32N50Q 500 V 30 A 0.15 W(Electrically Isolated Back Surface)trr 250 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dV/dt, Low trr, HDMOSTM FamilyPreliminary dataISOPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsE 153432VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 500 V

 7.1. Size:135K  ixys
 ixfc30n60p ixfr30n60p.pdf pdf_icon

IXFR30N50Q

IXFC 30N60P VDSS = 600 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 30N60P ID25 = 15 APower MOSFET RDS(on) 250 m Electrically Isolated Back Surfacetrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeFast Recovery DiodeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VE153432VDGR TJ = 25C to

 9.1. Size:59K  ixys
 ixfr34n80.pdf pdf_icon

IXFR30N50Q

IXFR 34N80 VDSS = 800 VHiPerFETTM Power MOSFETsISOPLUS247TM ID25 = 28 A(Electrically Isolated Backside)RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET DieAvalanche RatedPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS

 9.2. Size:248K  ixys
 ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf pdf_icon

IXFR30N50Q

IXFC 36N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFR 36N50P ID25 = 19 APower MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface)trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsISOPLUS220TM (IXFC)E153432VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFR180N07 , IXFR180N085 , IXFR180N10 , IXFR24N100 , IXFR24N50 , IXFR24N50Q , IXFR26N50 , IXFR26N50Q , STP75NF75 , IXFR32N50Q , IXFR50N50 , IXFR55N50 , IXFR58N20Q , IXFR80N20Q , IXFT10N100 , IXFT12N100 , IXFT12N100Q .

History: STP19N06 | NTP75N03R | AP9970GI-HF | SFT1431 | TMPF7N90

 

 
Back to Top

 


 
.