IXFR32N50Q - описание и поиск аналогов

 

IXFR32N50Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFR32N50Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IXFR32N50Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR32N50Q даташит

 ..1. Size:91K  ixys
 ixfr30n50q ixfr32n50q.pdf pdf_icon

IXFR32N50Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM IXFR 30N50Q 500 V 29 A 0.16 W IXFR 32N50Q 500 V 30 A 0.15 W (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode High dV/dt, Low trr, HDMOSTM Family Preliminary data ISOPLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings E 153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 500 V

 7.1. Size:149K  ixys
 ixfr32n80p.pdf pdf_icon

IXFR32N50Q

PolarHVTM HiPerFET VDSS = 800 V IXFR 32N80P ID25 = 20 A Power MOSFET RDS(on) 290 m ISOPLUS247TM trr 250 ns (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXFR) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR T

 9.1. Size:59K  ixys
 ixfr34n80.pdf pdf_icon

IXFR32N50Q

IXFR 34N80 VDSS = 800 V HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS247TM ID25 = 28 A (Electrically Isolated Backside) RDS(on) = 0.24 trr 250 ns Single MOSFET Die Avalanche Rated Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V VGS

 9.2. Size:248K  ixys
 ixfc36n50p ixfr36n50p.pdf pdf_icon

IXFR32N50Q

IXFC 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM HiPerFET IXFR 36N50P ID25 = 19 A Power MOSFET RDS(on) 190 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS220TM (IXFC) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFR180N085 , IXFR180N10 , IXFR24N100 , IXFR24N50 , IXFR24N50Q , IXFR26N50 , IXFR26N50Q , IXFR30N50Q , 7N65 , IXFR50N50 , IXFR55N50 , IXFR58N20Q , IXFR80N20Q , IXFT10N100 , IXFT12N100 , IXFT12N100Q , IXFT13N80Q .

History: AO4912

 

 

 

 

↑ Back to Top
.