IRF1010EZLPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF1010EZLPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IRF1010EZLPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010EZLPBF даташит

 ..1. Size:407K  international rectifier
 irf1010ezpbf irf1010ezspbf irf1010ezlpbf.pdf pdf_icon

IRF1010EZLPBF

PD - 95483C IRF1010EZPbF IRF1010EZSPbF IRF1010EZLPbF Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 8.5m Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing tech

 ..2. Size:407K  international rectifier
 irf1010ezlpbf irf1010ezpbf irf1010ezspbf.pdf pdf_icon

IRF1010EZLPBF

PD - 95483C IRF1010EZPbF IRF1010EZSPbF IRF1010EZLPbF Features Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 8.5m Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing tech

 4.1. Size:756K  infineon
 auirf1010ez auirf1010ezs auirf1010ezl.pdf pdf_icon

IRF1010EZLPBF

AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZL Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.8m Ultra Low On-Resistance max. 8.5m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 84A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

 5.1. Size:375K  international rectifier
 auirf1010ezstrl.pdf pdf_icon

IRF1010EZLPBF

PD - 95962 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUIRF1010EZL Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance D V(BR)DSS 60V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max. 8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G ID (Silicon Limited) 84A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qualified * ID (Package Limited)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201, IRF1010A, IRF1010ELPBF, IRF1010EPBF, IRF1010ESPBF, 2SK3568, IRF1010EZPBF, IRF1010EZSPBF, IRF1010H, IRF1010NLPBF, IRF1010NPBF, IRF1010NSPBF, IRF1010ZLPBF, IRF1010ZPBF