Справочник MOSFET. IRF1010EZLPBF

 

IRF1010EZLPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF1010EZLPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для IRF1010EZLPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010EZLPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  international rectifier
irf1010ezpbf irf1010ezspbf irf1010ezlpbf.pdfpdf_icon

IRF1010EZLPBF

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech

 ..2. Size:407K  international rectifier
irf1010ezlpbf irf1010ezpbf irf1010ezspbf.pdfpdf_icon

IRF1010EZLPBF

PD - 95483CIRF1010EZPbFIRF1010EZSPbFIRF1010EZLPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 8.5m Lead-FreeGID = 75ADescriptionSThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing tech

 4.1. Size:756K  infineon
auirf1010ez auirf1010ezs auirf1010ezl.pdfpdf_icon

IRF1010EZLPBF

AUIRF1010EZ AUIRF1010EZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1010EZL Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 6.8m Ultra Low On-Resistance max. 8.5m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 84A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 75A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Q

 5.1. Size:375K  international rectifier
auirf1010ezstrl.pdfpdf_icon

IRF1010EZLPBF

PD - 95962AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1010EZAUIRF1010EZSAUIRF1010EZLFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS60V 175C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) max.8.5m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited)84A Lead-Free, RoHS CompliantS Automotive Qualified *ID (Package Limited)

Другие MOSFET... IRF054SMD , IRF100B201 , IRF100B202 , IRF100S201 , IRF1010A , IRF1010ELPBF , IRF1010EPBF , IRF1010ESPBF , 5N65 , IRF1010EZPBF , IRF1010EZSPBF , IRF1010H , IRF1010NLPBF , IRF1010NPBF , IRF1010NSPBF , IRF1010ZLPBF , IRF1010ZPBF .

History: JSM3420

 

 
Back to Top

 


 
.