IRF1010NLPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF1010NLPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IRF1010NLPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010NLPBF даташит

 ..1. Size:292K  international rectifier
 irf1010nspbf irf1010nlpbf.pdf pdf_icon

IRF1010NLPBF

PD - 95103 IRF1010NSPbF IRF1010NLPbF l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET l Dynamic dv/dt Rating D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 11m l Lead-Free G Description ID = 85A Advanced HEXFET Power MOSFETs from S International Rectifier utilize advanced processing techniques t

 ..2. Size:292K  international rectifier
 irf1010nlpbf irf1010nspbf.pdf pdf_icon

IRF1010NLPBF

PD - 95103 IRF1010NSPbF IRF1010NLPbF l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET l Dynamic dv/dt Rating D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 11m l Lead-Free G Description ID = 85A Advanced HEXFET Power MOSFETs from S International Rectifier utilize advanced processing techniques t

 6.1. Size:146K  international rectifier
 irf1010ns.pdf pdf_icon

IRF1010NLPBF

PD - 94171 IRF1010NS IRF1010NL Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating D VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 11m Fully Avalanche Rated G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from ID = 85A International Rectifier utilize advanced processing S techniques to achieve extremely low

 6.2. Size:211K  international rectifier
 irf1010n.pdf pdf_icon

IRF1010NLPBF

PD - 91278 IRF1010N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature RDS(on) = 11m G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 85A S Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF1010A, IRF1010ELPBF, IRF1010EPBF, IRF1010ESPBF, IRF1010EZLPBF, IRF1010EZPBF, IRF1010EZSPBF, IRF1010H, SI2302, IRF1010NPBF, IRF1010NSPBF, IRF1010ZLPBF, IRF1010ZPBF, IRF1010ZSPBF, IRF1018EPBF, IRF1018ESLPBF, IRF1018ESPBF