IRF1018ESLPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF1018ESLPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для IRF1018ESLPBF
IRF1018ESLPBF Datasheet (PDF)
irf1018epbf irf1018eslpbf irf1018espbf.pdf

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl
irf1018epbf irf1018espbf irf1018eslpbf.pdf

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl
auirf1018es.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1018ES HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. Ultra Low On-Resistance 7.1m 175C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 79A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed fo
irf1018es.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1018ESFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06