IRF1018ESLPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF1018ESLPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 79 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для IRF1018ESLPBF
IRF1018ESLPBF Datasheet (PDF)
irf1018epbf irf1018eslpbf irf1018espbf.pdf

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl
irf1018epbf irf1018espbf irf1018eslpbf.pdf

PD - 97125IRF1018EPbFIRF1018ESPbFIRF1018ESLPbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification inDSMPSVDSS60Vl Uninterruptible Power SupplyRDS(on) typ.7.1m:l High Speed Power Switchingl Hard Switched and High Frequency Circuits Gmax. 8.4m:ID 79ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt RuggednessDDDl
auirf1018es.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1018ES HEXFET Power MOSFET Features VDSS 60V Advanced Process Technology RDS(on) typ. Ultra Low On-Resistance 7.1m 175C Operating Temperature max. 8.4m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 79A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D Description Specifically designed fo
irf1018es.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1018ESFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
Другие MOSFET... IRF1010H , IRF1010NLPBF , IRF1010NPBF , IRF1010NSPBF , IRF1010ZLPBF , IRF1010ZPBF , IRF1010ZSPBF , IRF1018EPBF , AON6380 , IRF1018ESPBF , IRF1104PBF , IRF120 , IRF121 , IRF122 , IRF123 , IRF1302S , IRF130SMD .
History: FDMC86240 | IRF131 | SML802R8KN
History: FDMC86240 | IRF131 | SML802R8KN



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06