IRF130SMD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF130SMD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRF130SMD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF130SMD даташит

 ..1. Size:22K  semelab
irf130smd.pdfpdf_icon

IRF130SMD

 0.1. Size:24K  semelab
irf130smd05.pdfpdf_icon

IRF130SMD

IRF130SMD05N IRFN130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS ! VDSS 100V ID(cont) 11A RDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED

 0.2. Size:23K  semelab
irf130smd05dsg.pdfpdf_icon

IRF130SMD

IRF130SMD05DSGN MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET 7.54 (0.296) FOR HI REL 0.76 (0.030) min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. APPLICATIONS 0.127 (0.005) 1 3 VDSS 100V ID(cont) 11A 2 RDS(on) 0.19 FEATURES 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) HERMETICALLY SEALED 0.50 (0.020) max. 7.26 (0.286)

 8.1. Size:523K  international rectifier
irf1302.pdfpdf_icon

IRF130SMD

PD - 94591 AUTOMOTIVE MOSFET IRF1302 Benefits HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 20V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 4.0m G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 180A S Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar

Другие IGBT... IRF1018ESLPBF, IRF1018ESPBF, IRF1104PBF, IRF120, IRF121, IRF122, IRF123, IRF1302S, IRF1405, IRF130SMD05, IRF130SMD05DSG, IRF131, IRF1310NPBF, IRF1310NSPBF, IRF1312PBF, IRF132, IRF1324LPBF