IRF132 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF132
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для IRF132
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF132 даташит
irf131 irf132 irf133.pdf
IRF130, IRF131, S E M I C O N D U C T O R IRF132, IRF133 12A and 14A, 80V and 100V, 0.16 and 0.23 Ohm, October 1997 N-Channel Power MOSFETs Features Description 12A and 14A, 80V and 100V These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power rDS(ON) = 0.16 and 0.23 MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a
auirf1324strl.pdf
PD - 97483 AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 24V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 1.3m 175 C Operating Temperature G ID (Silicon Limited) Fast Switching 340A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 195A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qua
irf1324s-7ppbf.pdf
PD - 97263B IRF1324S-7PPbF HEXFET Power MOSFET D Applications VDSS 24V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 0.8m l Uninterruptible Power Supply max. 1.0m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 429A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 240A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D
irf1324pbf.pdf
PD - 96199A IRF1324PbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 24V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.2m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 1.5m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 353A ID (Package Limited) S 195A Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
Другие IGBT... IRF1302S, IRF130SMD, IRF130SMD05, IRF130SMD05DSG, IRF131, IRF1310NPBF, IRF1310NSPBF, IRF1312PBF, IRFB7545, IRF1324LPBF, IRF1324PBF, IRF1324S-7PPBF, IRF1324SPBF, IRF133, IRF13N50, IRF1404LPBF, IRF1404PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554









