IRF1324PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF1324PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 160 nC
trⓘ - Время нарастания: 190 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3440 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRF1324PBF Datasheet (PDF)
irf1324pbf.pdf

PD - 96199AIRF1324PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsDVDSS24Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.1.2ml Uninterruptible Power Supplyl High Speed Power Switching max. 1.5ml Hard Switched and High Frequency CircuitsGID (Silicon Limited)353AID (Package Limited)S 195A Benefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggedness
auirf1324strl.pdf

PD - 97483AUIRF1324SAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1324LHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process Technology DVDSS24V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT RatingRDS(on) typ.1.3m 175C Operating TemperatureGID (Silicon Limited) Fast Switching 340A Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID (Package Limited)195A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qua
irf1324s-7ppbf.pdf

PD - 97263BIRF1324S-7PPbFHEXFET Power MOSFETDApplicationsVDSS24Vl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSRDS(on) typ.0.8ml Uninterruptible Power Supply max. 1.0ml High Speed Power Switching GID (Silicon Limited)429Al Hard Switched and High Frequency CircuitsID (Package Limited)240ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtD
auirf1324wl.pdf

PD - 97676AAUTOMOTIVE GRADEAUIRF1324WLHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Process TechnologyDV(BR)DSS24Vl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.1.16ml 50% Lower Lead Resistance max. 1.30ml 175C Operating TemperatureGl Fast SwitchingID (Silicon Limited)382A l Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxSID (Package Limited)240A l Lead-Free,
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: CJ8820 | MTP4411Q8 | IRLR8726PBF | RJK0657DPA | BSZ0904NSI
History: CJ8820 | MTP4411Q8 | IRLR8726PBF | RJK0657DPA | BSZ0904NSI



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283