IRF1324SPBF datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: IRF1324SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3440 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00165 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF1324SPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF1324SPBF даташит
irf1324lpbf irf1324spbf.pdf
PD - 97353A IRF1324SPbF IRF1324LPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 24V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 1.65m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 340A ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynami
auirf1324strl.pdf
PD - 97483 AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 24V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 1.3m 175 C Operating Temperature G ID (Silicon Limited) Fast Switching 340A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 195A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qua
irf1324s-7ppbf.pdf
PD - 97263B IRF1324S-7PPbF HEXFET Power MOSFET D Applications VDSS 24V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 0.8m l Uninterruptible Power Supply max. 1.0m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 429A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 240A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D
auirf1324s auirf1324l.pdf
AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features VDSS 24V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 1.3m Ultra Low On-Resistance max. 1.65m Dynamic dV/dT Rating 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 340A Fast Switching ID (Package Limited) 195A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-
Другие IGBT... IRF131, IRF1310NPBF, IRF1310NSPBF, IRF1312PBF, IRF132, IRF1324LPBF, IRF1324PBF, IRF1324S-7PPBF, RU7088R, IRF133, IRF13N50, IRF1404LPBF, IRF1404PBF, IRF1404SPBF, IRF1404ZGPBF, IRF1404ZLPBF, IRF1404ZPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet





