STI15NM60N - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STI15NM60N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STI15NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI15NM60N

STI15NM60N Datasheet (PDF)

..1. Size:615K st
stb15nm60n stf15nm60n sti15nm60n stp15nm60n stw15nm60n.pdf

STB15NM60N - STF/I15NM60NSTP15NM60N - STW15NM60NN-channel 600V - 0.270 - 14A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247Second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID3(@Tjmax)31 21STB15NM60N 650V

..2. Size:616K st
stb15nm60n stf15nm60n sti15nm60n stp15nm60n stw15nm60n.pdf

0.1. Size:593K st
sti15nm60nd.pdf

STB15NM60ND - STF/I15NM60NDSTP15NM60ND - STW15NM60NDN-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247Features Type VDSS (@Tjmax)RDS(on) max ID3 3STB15NM60ND 14 A 211STF15NM60ND 14 AD2PAKIPAKSTI15NM60ND 650 V 0.299 14 A(1)321STP15NM60ND 14 ASTW15NM60ND 14 ATO-2471. Limited only by maximum temperature

0.2. Size:593K st
stb15nm60nd stf15nm60nd sti15nm60nd stp15nm60nd stw15nm60nd.pdf