STI15NM60ND datasheet, аналоги, параметры транзистора

STI15NM60ND datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STI15NM60ND

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.299 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI15NM60ND

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STI15NM60ND даташит

..1. Size:593K st
sti15nm60nd.pdf pdf_icon

STB15NM60ND - STF/I15NM60ND STP15NM60ND - STW15NM60ND N-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmesh II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 Features Type VDSS (@Tjmax)RDS(on) max ID 3 3 STB15NM60ND 14 A 2 1 1 STF15NM60ND 14 A D2PAK I PAK STI15NM60ND 650 V 0.299 14 A(1) 3 2 1 STP15NM60ND 14 A STW15NM60ND 14 A TO-247 1. Limited only by maximum temperature

..2. Size:593K st
stb15nm60nd stf15nm60nd sti15nm60nd stp15nm60nd stw15nm60nd.pdf pdf_icon