IXFT12N100Q - описание и поиск аналогов

 

IXFT12N100Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFT12N100Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.05 Ohm

Тип корпуса: TO268

Аналог (замена) для IXFT12N100Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT12N100Q даташит

 ..1. Size:144K  ixys
ixft12n100q ixfh12n100q ixft10n100q ixfh10n100q.pdfpdf_icon

IXFT12N100Q

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFH/IXFT12N100Q 1000 V 12 A 1.05 Power MOSFETs IXFH/IXFT10N100Q 1000 V 10 A 1.20 Q Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS

 0.1. Size:148K  ixys
ixft12n100qhv.pdfpdf_icon

IXFT12N100Q

Advance Technical Information High Voltage HiPerFETTM VDSS = 1000V IXFT12N100QHV Power MOSFET ID25 = 12A Q-CLASS RDS(on) 1.05 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-268S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1000 V VGSS Continuous 20 V G = Ga

 4.1. Size:556K  ixys
ixft10n100 ixft12n100.pdfpdf_icon

IXFT12N100Q

 7.1. Size:53K  ixys
ixfh12n90q ixft12n90q.pdfpdf_icon

IXFT12N100Q

IXFH 12N90Q VDSS = 900 V HiPerFETTM IXFT 12N90Q ID25 = 12 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.9 W Q Class N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated Low Qg, High dv/dt Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 900 V VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC

Другие MOSFET... IXFR30N50Q , IXFR32N50Q , IXFR50N50 , IXFR55N50 , IXFR58N20Q , IXFR80N20Q , IXFT10N100 , IXFT12N100 , 2N7002 , IXFT13N80Q , IXFT14N100 , IXFT15N100 , IXFT15N80Q , IXFT20N60Q , IXFT20N80Q , IXFT24N100 , IXFT26N50Q .

History: SVD4N65F | STWA48N60M2 | STE38NB50 | WMN25N70EM | CS40N20FA9E | 2SK1449 | 2SK3919-ZK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.