STI21NM60ND MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STI21NM60ND
Маркировка: 21NM60ND
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
Аналог (замена) для STI21NM60ND
STI21NM60ND Datasheet (PDF)
sti21nm60nd.pdf
STP/F21NM60ND-STW21NM60NDSTB21NM60ND-STI21NM60NDN-channel 600 V, 0.17 , 17 A FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max 33 13221STB21NM60ND 650 V
stp21nm60nd stf21nm60nd stb21nm60nd sti21nm60nd stw21nm60nd.pdf
STP/F21NM60ND-STW21NM60NDSTB21NM60ND-STI21NM60NDN-channel 600 V, 0.17 , 17 A FDmesh II Power MOSFETD2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max 33 13221STB21NM60ND 650 V
stb21n65m5 stf21n65m5 sti21n65m5 stp21n65m5 stw21n65m5.pdf
STB21N65M5, STF21N65M5STI21N65M5, STP21N65M5, STW21N65M5N-channel 650 V, 0.175 , 17 A MDmesh V Power MOSFETD2PAK, TO-220FP, TO-220, I2PAK, TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type ID PWTJmax max3231STB21N65M5 17 A 125 W 21TO-220STF21N65M5 17 A(1) 30 WIPAKSTI21N65M5 710 V
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918