STI24N60M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STI24N60M2
Маркировка: 24N60M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: I2PAK
STI24N60M2 Datasheet (PDF)
stb24n60m2 sti24n60m2 stp24n60m2 stw24n60m2.pdf

STB24N60M2, STI24N60M2, STP24N60M2, STW24N60M2N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID231STB24N60M2321D2PAKSTI24N60M2I2PAK650 V 0.19 18 ASTP24N60M2TABSTW24N60M2 Extremely low gate charge
stf24nm60n sti24nm60n stp24nm60n stw24nm60n.pdf

STF24NM60N, STI24NM60N, STP24NM60N, STW24NM60NN-channel 600 V, 0.168 typ., 17 A MDmesh II Power MOSFETs in TO-220FP, IPAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataTAB Features Order codes VDS @Tjmax RDS(on) max. IDSTF24NM60N3 322 11STI24NM60NI2PAKTO-220FP650 V 0.19 17 ASTP24NM60NTABSTW24NM60N 100% avalanche tested332 L
stb24nm65n sti24nm65n stf24nm65n stp24nm65n stw24nm65n.pdf

STW24NM65N-STI24NM65N-STF24NM65NSTB24NM65N - STP24NM65NN-channel 650 V - 0.16 - 19 A - TO-220 - TO-220FP - D2PAKI2PAK - TO-247 second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@TJmax)323121STB24NM65N 710 V
sti24nm60n.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STI24NM60NFEATURESWith To-262(I2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие MOSFET... STI16NM50N , STI17NF25 , STI18N65M2 , STI18N65M5 , STI19NM65N , STI20N65M5 , STI21NM60ND , STI23NM60N , 2SK3878 , STI260N6F6 , STI33N60M2 , STI33N65M2 , STI360N4F6 , STI400N4F6 , STI40N65M2 , STI45N10F7 , STI57N65M5 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD | SLD80N02TB | SLD65R600E7C | SLD65R380E7C | SLD65R280E7C | SLU4N65U | SLT70R180E7C | SLT65R180E7C | SLP730S | SLP65R380E7C | SLP65R1K2E7
Popular searches
c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf