STL13DP10F6 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STL13DP10F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL13DP10F6
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STL13DP10F6 даташит
stl13dp10f6.pdf
STL13DP10F6 Dual P-channel 100 V, 0.136 typ., 3.3 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 double island Datasheet - production data Features VDS RDS(on) max. ID 1 Order code 4 STL13DP10F6 100 V 0.18 3.3 A 1 RDS(on) * Qg industry benchmark 8 4 Extremely low on-resistance RDS(on) 5 High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gat
stl13n65m2.pdf
STL13N65M2 N-channel 650 V, 0.365 typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL13N65M2 650 V 0.475 6.5 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 1 2 3 100% avalanche tested 4 Zener-protected PowerFLAT 5x6 HV Applications S
stl130n8f7.pdf
STL130N8F7 N-channel 80 V, 3 m , 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT 3.6 m STL130N8F7 80 V 130 A 135 W (VGS=10 V) Ultra low on-resistance 1 2 3 100% avalanche tested 4 Applications PowerFLAT 5x6 Switching applications Description Figure 1. Internal schemati
stl13n60m2.pdf
STL13N60M2 N-channel 600 V, 0.39 typ., 7 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID STL13N60M2 650 V 0.42 7 A Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous generation 1 2 3 Low gate input resistance 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6
Другие IGBT... STL11N65M5, STL120N2VH5, STL120N4F6AG, STL12N3LLH5, STL12N60M2, STL12N65M2, STL12P6F6, STL130N8F7, IRF1407, STL13N60M2, STL13N65M2, STL15N65M5, STL160NS3LLH7, STL16N60M2, STL16N65M2, STL17N65M5, STL180N4LLF6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet







