STL40C30H3LL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STL40C30H3LL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT5X6
Аналог (замена) для STL40C30H3LL
STL40C30H3LL Datasheet (PDF)
stl40c30h3ll.pdf

STL40C30H3LLN-channel 30 V, 0.019 typ., 10 A, P-channel 30 V, 0.024 typ.,8 ASTripFET VI Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 d. i. packageDatasheet - production dataFeatures Order code Channel VDS RDS(on) max IDN 0.021 @ 10 V 10 ASTL40C30H3LL 30 VP0.03 @ 10 V 8 A12 RDS(on) * Qg industry benchmark34 Extremely low on-resistance RDS(on) High avalanc
stl40n75lf3.pdf

STL40N75LF3N-channel 75 V, 16 m typ., 10 A STripFET III Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDSS IDmax.1STL40N75LF3 75 V 19 m 10 A 234 N-channel enhancement mode Low gate chargePowerFLAT 5x6 Low threshold voltage deviceApplicationsFigure 1. Internal schematic diagram Switching
stl40n10f7.pdf

STL40N10F7N-channel 100 V, 0.02 typ., 10 A, STripFET VII DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max ID PTOTSTL40N10F7 100 V 0.024 10 A 5 W Ultra low on-resistance123 100% avalanche tested4PowerFLAT 5x6 Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1. Internal sche
stl40dn3llh5.pdf

STL40DN3LLH5Dual N-channel 30 V, 0.016 , 11 APowerFLAT (5x6) double island, STripFET V Power MOSFETPreliminary dataFeaturesType VDSS RDSo(n) IDSTL40DN3LLH5 30 V
Другие MOSFET... STL33N60M2 , STL34N65M5 , STL35N6F3 , STL36N55M5 , STL38N65M5 , STL3N10F7 , STL3NK40 , STL3NM60N , HY1906P , STL40N10F7 , STL40N75LF3 , STL42P4LLF6 , STL42P6LLF6 , STL45N65M5 , STL4N10F7 , STL4N80K5 , STL4P2UH7 .
History: IPB90N06S4-04 | FDC3616N | SQD25N15-52 | 4N60KG-TN3-R | IPA80R310CE | 4N60KG-TM3-T
History: IPB90N06S4-04 | FDC3616N | SQD25N15-52 | 4N60KG-TN3-R | IPA80R310CE | 4N60KG-TM3-T



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801