STL42P6LLF6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL42P6LLF6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 262 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL42P6LLF6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL42P6LLF6 даташит

 ..1. Size:458K  st
 stl42p6llf6.pdf pdf_icon

STL42P6LLF6

STL42P6LLF6 P-channel 60 V, 0.023 typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STL42P6LLF6 60 V 0.026 @ 10 V 42 A 1 2 3 4 Very low on-resistance Very low gate charge PowerFLAT 5x6 High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Fi

 8.1. Size:439K  st
 stl42p4llf6.pdf pdf_icon

STL42P6LLF6

STL42P4LLF6 P-channel 40 V, 0.0155 typ.,42 A, STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STL42P4LLF6 40 V 0.018 42 A 75 W 1 2 3 Very low on-resistance 4 Very low gate charge High avalanche ruggedness PowerFLAT 5x6 Low gate drive power loss Applications

 9.1. Size:680K  st
 stl42n65m5.pdf pdf_icon

STL42P6LLF6

STL42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 34 A MDmesh V Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV package Datasheet preliminary data Features VDSS @ RDS(on) Order code ID S(2) Bottom view TJmax max S(2) S(2) G(1) STL42N65M5 710 V

Другие IGBT... STL38N65M5, STL3N10F7, STL3NK40, STL3NM60N, STL40C30H3LL, STL40N10F7, STL40N75LF3, STL42P4LLF6, AO4468, STL45N65M5, STL4N10F7, STL4N80K5, STL4P2UH7, STL4P3LLH6, STL50NH3LL, STL51N3LLH5, STL55NH3LL