STL6N2VH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STL6N2VH5
Маркировка: STD1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 14.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: POWERFLAT2X2
STL6N2VH5 Datasheet (PDF)
stl6n2vh5.pdf
STL6N2VH5N-channel 20 V, 0.025 typ., 6 A STripFET V Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet production dataFeatures Order code VDS RDS(on) max. ID PTOT120.03 (VGS=4.5 V)3STL6N2VH5 20 V 6 A 2.4 W 0.04 (VGS=2.5 V)6 Very low switching gate charge152 Very low thermal resistance43 Conduction losses reducedPowerFLAT 2x2
stl6nm60n.pdf
STL6NM60NN-channel 600 V - 0.85 - 5.75 A - PowerFLAT (5x5)ultra low gate charge MDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJMAX MaxSTL6NM60N 650 V
stl6n3llh6.pdf
STL6N3LLH6N-channel 30 V, 0.021 typ., 6 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a PowerFLAT 2x2 packageDatasheet preliminary dataFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max. ID PTOT120.025 (VGS=10 V)3STL6N3LLH6 30 V 6 A 2.4W0.04 (VGS=4.5 V) RDS(on) * Qg industry benchmark6152 Extremely low on-resistance RDS(on)43 High avalanche rugge
stl6nk55z.pdf
STL6NK55ZN-CHANNEL 550V - 1.2 - 5.2A PowerFLATZener-Protected SuperMESHPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) ID (1) Pw (1)STL6NK55Z 550 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
