STL8N10LF3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STL8N10LF3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: POWERFLAT5X6

Аналог (замена) для STL8N10LF3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STL8N10LF3 даташит

 ..1. Size:990K  st
stl8n10lf3.pdfpdf_icon

STL8N10LF3

STL8N10LF3 Automotive-grade N-channel 100 V, 25 m typ., 7.8 A STripFET F3 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on) max ID STL8N10LF3 100 V 35 m 7.8 A Designed for automotive applications and 1 AEC-Q101 qualified 2 3 Logic level VGS(th) 4 175 C maximum junction temperature 100% avalanche rate

 7.1. Size:613K  st
stl8n10f7.pdfpdf_icon

STL8N10LF3

STL8N10F7 N-channel 100 V, 0.017 typ., 35 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package Datasheet - preliminary data Features Order code VDS RDS(on) max ID PTOT STL8N10F7 100 V 0.02 35 A 50 W Among the lowest RDS(on) on the market 1 Excellent figure of merit (FoM) 2 3 Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity 4 High avalanche ruggedness Pow

 9.1. Size:1392K  st
stl8n80k5.pdfpdf_icon

STL8N10LF3

STL8N80K5 N-channel 800 V, 0.80 typ., 4.5 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV package Datasheet - production data Features Order code VDS RDS(on)max. ID STL8N80K5 800 V 0.95 4.5 A Outstanding RDS(on)*area 1 Worldwide best FOM (figure of merit) 2 3 Ultra low gate charge 4 100% avalanche tested PowerFLAT 5x6 VHV Zene

 9.2. Size:321K  st
stl8nh3ll.pdfpdf_icon

STL8N10LF3

STL8NH3LL N-channel 30 V, 0.012 , 8 A - PowerFLAT (3.3x3.3) ultra low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STL8NH3LL 30V

Другие IGBT... STL7N10F7, STL7N6LF3, STL7N80K5, STL86N3LLH6AG, STL8DN10LF3, STL8DN4LLF6, STL8DN6LF3, STL8N10F7, 2SK3878, STL8N80K5, STL8NH3LL, STL8P2UH7, STL8P4LLF6, STL90N10F7, STL9N60M2, STL9P2UH7, STV160NF02LAT4