STW10N95K5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW10N95K5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW10N95K5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW10N95K5 даташит

 ..1. Size:1328K  st
stb10n95k5 stf10n95k5 stp10n95k5 stw10n95k5.pdfpdf_icon

STW10N95K5

STB10N95K5, STF10N95K5, STP10N95K5, STW10N95K5 N-channel 950 V, 0.65 typ., 8 A Zener-protected SuperMESH 5 Power MOSFETs in D2PAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 Datasheet - production data TAB Features 3 Order codes VDS RDS(on) max ID PTOT 1 2 3 D PAK STB10N95K5 130 W 2 1 STF10N95K5 30 W TO-220FP 950 V 0.8 8 A STP10N95K5 TAB 130 W STW10N95K5 Worldwide best FOM

 8.1. Size:455K  st
stp10nk80zfp stp10nk80z stw10nk80z.pdfpdf_icon

STW10N95K5

STP10NK80ZFP STP10NK80Z - STW10NK80Z N-channel 800V - 0.78 - 9A - TO-220/FP-TO-247 Zener-protected superMESHTM MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK80Z 800V

 8.2. Size:233K  st
stw10na50.pdfpdf_icon

STW10N95K5

STH10NA50/FI STW10NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STH10NA50 500 V

 8.3. Size:337K  st
stw10nc60 sth10nc60fi.pdfpdf_icon

STW10N95K5

STW10NC60 STH10NC60FI N-CHANNEL 600V - 0.6 - 10A - TO-247/ISOWATT218 PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW10NC60 600 V

Другие IGBT... STL9P2UH7, STV160NF02LAT4, STV160NF02LT4, STV160NF03LAT4, STV160NF03LT4, STV200N55F3, STV60NE06-16, STW10N105K5, 12N60, STW10NA50, STW11NB80, STW12NA60, STW12NM60N, STW13N60M2, STW13N80K5, STW13NB60, STW13NK80Z