STW13NB60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW13NB60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 325 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW13NB60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW13NB60 даташит

 ..1. Size:332K  st
stw13nb60 sth13nb60fi.pdfpdf_icon

STW13NB60

STW13NB60 STH13NB60FI N - CHANNEL 600V - 0.48 - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW13NB60 600 V

 ..2. Size:224K  st
stw13nb60.pdfpdf_icon

STW13NB60

STW13NB60 STH13NB60FI N - CHANNEL 600V - 0.48 - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW13NB60 600 V

 8.1. Size:322K  st
stw13nk100z.pdfpdf_icon

STW13NB60

STW11NK100Z STW13NK100Z N-channel 1000V - 0.56 - 13A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH PowerMOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID PW (@Tjmax) STW13NK100Z 1000 V

 8.2. Size:489K  st
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdfpdf_icon

STW13NB60

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

Другие IGBT... STW10N105K5, STW10N95K5, STW10NA50, STW11NB80, STW12NA60, STW12NM60N, STW13N60M2, STW13N80K5, NCEP15T14, STW13NK80Z, STW13NM50N, STW14NK60Z, STW14NM50, STW14NM50FD, STW14NM65N, STW150NF55, STW15N80K5