STW13NK80Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW13NK80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 312 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW13NK80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW13NK80Z даташит

 ..1. Size:283K  st
 stw13nk80z.pdf pdf_icon

STW13NK80Z

STW13NK80Z N-channel 800V - 0.53 - 12A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID pW STW13NK80Z 800V

 7.1. Size:322K  st
 stw13nk100z.pdf pdf_icon

STW13NK80Z

STW11NK100Z STW13NK100Z N-channel 1000V - 0.56 - 13A - TO-247 Zener - Protected SuperMESH PowerMOSFET General features VDSS Type RDS(on) ID PW (@Tjmax) STW13NK100Z 1000 V

 7.2. Size:489K  st
 stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdf pdf_icon

STW13NK80Z

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

 7.3. Size:491K  st
 stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdf pdf_icon

STW13NK80Z

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW10N95K5, STW10NA50, STW11NB80, STW12NA60, STW12NM60N, STW13N60M2, STW13N80K5, STW13NB60, AON7506, STW13NM50N, STW14NK60Z, STW14NM50, STW14NM50FD, STW14NM65N, STW150NF55, STW15N80K5, STW15N95K5