STW150NF55 datasheet, аналоги, параметры транзистора

STW150NF55 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW150NF55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW150NF55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STW150NF55 даташит

..1. Size:555K st
stb150nf55t4 stw150nf55.pdf pdf_icon

STB150NF55 STP150NF55 - STW150NF55 N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB150NF55 55V

..2. Size:564K st
stb150nf55 stp150nf55 stw150nf55.pdf pdf_icon

STB150NF55 STP150NF55 - STW150NF55 N-channel 55V - 0.005 - 120A - D2PAK/TO-220/TO-247 STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB150NF55 55V

9.1. Size:336K 1
sth15n50 sth15n50fi stw15n50.pdf pdf_icon

9.2. Size:504K st
stb15nm65n sti15nm65n stf15nm65n stp15nm65n stw15nm65n.pdf pdf_icon

STF15NM65N-STI15NM65N-STW15NM65N STB15NM65N-STP15NM65N N-channel 650V - 0.25 - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) Max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB15NM65N 710 V