STW18NK80Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STW18NK80Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW18NK80Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW18NK80Z даташит

 ..1. Size:297K  st
 stw18nk80z.pdf pdf_icon

STW18NK80Z

STW18NK80Z N-channel 800V - 0.34 - 19A - TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID pW STW18NK80Z 800V

 7.1. Size:219K  st
 stw18nk60z.pdf pdf_icon

STW18NK80Z

STW18NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.27 - 16ATO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STW18NK60Z 600 V

 8.1. Size:963K  st
 stb18nm80 stf18nm80 stw18nm80 stp18nm80.pdf pdf_icon

STW18NK80Z

STB18NM80, STF18NM80 STP18NM80, STW18NM80 N-channel 800 V, 0.25 , 17 A, MDmesh Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 STB18NM80 800 V

 8.2. Size:142K  st
 stw18nb40.pdf pdf_icon

STW18NK80Z

STW18NB40 STH18NB40FI N-CHANNEL 400V - 0.19 - 18.4 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh MOSFET PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STW18NB40 400 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW15N80K5, STW15N95K5, STW15NB50, STW15NM60N, STW16NM50N, STW18N60M2, STW18N65M5, STW18NK60Z, 18N50, STW18NM60ND, STW19NM60N, STW19NM65N, STW200NF03, STW20N65M5, STW20NB50, STW20NK70Z, STW20NM65N