Справочник MOSFET. STW23NM60N

 

STW23NM60N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW23NM60N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для STW23NM60N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW23NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:560K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf pdf_icon

STW23NM60N

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 ..2. Size:558K  st
 stb23nm60n stf23nm60n sti23nm60n stp23nm60n stw23nm60n.pdf pdf_icon

STW23NM60N

STB23NM60N-STF23NM60NSTI23NM60N-STP23NM60N-STW23NM60NN-channel 600 V - 0.150 - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FPTO-247, second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max31 21STB23NM60N 19 ADPAKIPAKSTI23NM60N 19 A3STF23NM60N 650 V 0.180 19 A (1)21STP23NM60N 19 ATO-247STW23NM60N 19 A3 32 21 11. Limited

 0.1. Size:814K  st
 stb23nm60nd sti23nm60nd stf23nm60nd stp23nm60nd stw23nm60nd.pdf pdf_icon

STW23NM60N

STx23NM60NDN-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmesh II Power MOSFET(with fast diode) DPAK, IPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Type ID3max.3(@Tjmax)1 21STx23NM60ND 650 V

 0.2. Size:212K  inchange semiconductor
 stw23nm60nd.pdf pdf_icon

STW23NM60N

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STW23NM60NDFEATURESWith TO-247 packagingHigh speed switchingVery high commutation ruggednessEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPFC stagesPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW20NB50 , STW20NK70Z , STW20NM65N , STW21NM50N , STW21NM60N , STW220NF75 , STW22N95K5 , STW23N85K5 , MMIS60R580P , STW24N60DM2 , STW24N60M2 , STW25N80K5 , STW25NM50N , STW25NM60N , STW265N6F6AG , STW26NM60 , STW26NM60ND .

 

 
Back to Top

 


 
.