STW25NM50N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW25NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 511 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW25NM50N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW25NM50N даташит

 ..1. Size:612K  st
stb25nm50n-1 stf25nm50n stw25nm50n.pdfpdf_icon

STW25NM50N

STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

 ..2. Size:610K  st
stb25nm50n stf25nm50n stp25nm50n stw25nm50n.pdfpdf_icon

STW25NM50N

STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

 ..3. Size:605K  st
stw25nm50n stf25nm50n stb25nm50n std25nm50n.pdfpdf_icon

STW25NM50N

STx25NM50N N-channel 500 V, 0.11 , 22 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 2 3 1 2 1 STB25NM50N 550 V

 7.1. Size:586K  st
stb25nm60n-1 stb25nm60n stf25nm60n stp25nm60n stw25nm60n.pdfpdf_icon

STW25NM50N

STB25NM60Nx - STF25NM60N STP25NM60N - STW25NM60N N-channel 600 V, 0.130 , 21 A, MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247 Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 2 2 1 1 STB25NM60N 650 V

Другие IGBT... STW21NM60N, STW220NF75, STW22N95K5, STW23N85K5, STW23NM60N, STW24N60DM2, STW24N60M2, STW25N80K5, IRLB3034, STW25NM60N, STW265N6F6AG, STW26NM60, STW26NM60ND, STW28N60M2, STW28N65M2, STW28NK60Z, STW28NM60ND