STW3N170. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW3N170

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW3N170

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW3N170 даташит

 ..1. Size:456K  st
 stfw3n170 stw3n170.pdf pdf_icon

STW3N170

STFW3N170, STW3N170 N-channel 1700 V, 8 typ., 2.3 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3FP and TO-247 packages Datasheet - preliminary data Features RDS(on) Order codes VDSS max ID STFW3N170 1 1 1 1700 V 12 2.3 A STW3N170 3 3 2 2 1 1 Intrinsic capacitances and Qg minimized TO-247 TO-3PF TO-3PF for higher creepage between leads High speed switching 10

 8.1. Size:672K  st
 stfw3n150 sth3n150-2 stp3n150 stw3n150.pdf pdf_icon

STW3N170

STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150 Datasheet N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages Features TAB VDS RDS(on) max. ID PTOT Order codes 2 3 1 3 STFW3N150 63 W 2 2 H PAK-2 1 STH3N150-2 TO-3PF 1500 V 9 2.5 A STP3N150 140 W TAB STW3N150 3 3 100% avalanche tested 2 2 1 1 TO-220

 8.2. Size:759K  st
 stfw3n150 stp3n150 stw3n150.pdf pdf_icon

STW3N170

STFW3N150 STP3N150, STW3N150 N-channel 1500 V, 6 , 2.5 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF Features RDS(on) Type VDSS ID PTOT max. STFW3N150 1500 V

Другие IGBT... STW32NM50N, STW33N20, STW33N60M2, STW34N65M5, STW36N55M5, STW36NM60ND, STW38N65M5, STW38NB20, IRF640, STW40N20, STW40N60M2, STW40N65M2, STW40N95K5, STW43NM50N, STW45N65M5, STW46NF30, STW48N60M2