Справочник MOSFET. STW40N65M2

 

STW40N65M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW40N65M2
   Маркировка: 40N65M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 56.5 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 102 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для STW40N65M2

 

 

STW40N65M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  st
 stw40n65m2.pdf

STW40N65M2 STW40N65M2

STW40N65M2 N-channel 650 V, 0.087 typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTW40N65M2 650 V 0.099 32 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1Applications TO-247 Switching applicat

 7.1. Size:1189K  st
 stb40n60m2 stp40n60m2 stw40n60m2.pdf

STW40N65M2 STW40N65M2

STB40N60M2, STP40N60M2,STW40N60M2N-channel 600 V, 0.078 typ., 34 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesTABTABOrder codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID2STB40N60M23132 STP40N60M2 650 V 0.088 34 AD2PAK1STW40N60M2TO-220 Extremely low gate charge Lower RDS(on) x area vs previous

 8.1. Size:773K  st
 stw40n90k5 stwa40n90k5.pdf

STW40N65M2 STW40N65M2

STW40N90K5, STWA40N90K5 N-channel 900 V, 0.088 typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features Order code V R max I DS DS(on) DSTW40N90K5 900 V 0.099 40 A STWA40N90K5 Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best FoM (figure of merit) Ultra-low gate charge 100% avalanche

 8.2. Size:116K  st
 stw40ns15.pdf

STW40N65M2 STW40N65M2

STW40NS15N-CHANNEL 150V - 0.042 - 40A TO-247MESH OVERLAY MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTW40NS15 150 V

 8.3. Size:477K  st
 stp40nf20 stf40nf20 stb40nf20 stw40nf20.pdf

STW40N65M2 STW40N65M2

STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V

 8.4. Size:501K  st
 stb40n20 stb40n20 stp40n20 stp40n20fp stw40n20 stp40n20 stw40n20.pdf

STW40N65M2 STW40N65M2

STP40N20 - STF40N20STB40N20 - STW40N20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PW3STB40N20 200V

 8.5. Size:484K  st
 stb40nf20 stf40nf20 stp40nf20 stw40nf20.pdf

STW40N65M2 STW40N65M2

STP40NF20 - STF40NF20STB40NF20 - STW40NF20N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247Low gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PW3STB40NF20 200V

 8.6. Size:761K  st
 stw40n95k5.pdf

STW40N65M2 STW40N65M2

STW40N95K5 N-channel 950 V, 0.110 typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max I P DS DS(on) D TOTSTW40N95K5 950 V 0.130 38 A 450 W Industrys lowest R x area DS(on) Industrys best figure of merit (FoM) 32 Ultra low gate charge 1 100% avalanche tested Zener-protected

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AOB2500L , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top