IXFT80N10Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFT80N10Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 360 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 1600 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXFT80N10Q
IXFT80N10Q Datasheet (PDF)
ixfh80n10q ixft80n10q.pdf
IXFH 80N10Q VDSS = 100 VHiPerFETTMIXFT 80N10Q ID25 = 80 APower MOSFETs RDS(on) = 15 mWQ-Classtrr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary dataTO-247 AD (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 VVGS Continuous 20 VVGSM Trans
ixfh80n20q ixfk80n20q ixft80n20q.pdf
IXFH 80N20QHiPerFETTMVDSS = 200 VIXFK 80N20QPower MOSFETs ID25 = 80 AIXFT 80N20QQ-Class RDS(on) = 28 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 200 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transi
ixfh80n085 ixft80n085.pdf
IXFH 80N085 VDSS = 85 VHiPerFETTMIXFT 80N085 ID25 = 80 APower MOSFETsRDS(on) = 9 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dtPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C85 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 85 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)ID25 TC = 25C80 AIL
ixfh86n30t ixft86n30t.pdf
Advance Technical InformationTrenchTM HiperFETTM VDSS = 300VIXFH86N30TPower MOSFET ID25 = 86AIXFT86N30T RDS(on) 43m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-247 (IXFH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 300 V DD (Tab)SVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 300 VVGSS Continu
ixft88n30p ixfh88n30p ixfk88n30p.pdf
PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFT88N30PID25 = 88APower MOSFETIXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30Ptrr 200nsTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
ixfh88n30p ixft88n30p ixfk88n30p.pdf
PolarTM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFT88N30PID25 = 88APower MOSFETIXFH88N30P RDS(on) 40m IXFK88N30Ptrr 200nsTO-268 (IXFT)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedGFast Intrinsic DiodeSTabSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247(IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
Другие MOSFET... IXFT32N50Q , IXFT40N30Q , IXFT4N100Q , IXFT52N30Q , IXFT58N20Q , IXFT60N25Q , IXFT6N100Q , IXFT7N90 , AO4407 , IXFT80N20Q , IXFX100N25 , IXFX120N20 , IXFX13N100 , IXFX14N100 , IXFX150N15 , IXFX15N100 , IXFX16N90 .
