STW54NK30Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW54NK30Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW54NK30Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW54NK30Z даташит

 ..1. Size:289K  st
 stw54nk30z.pdf pdf_icon

STW54NK30Z

STW54NK30Z N-CHANNEL 300V - 0.052 - 54A TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE BVDSS RDS(on) ID Pw STW54NK30Z 300 V

 8.1. Size:544K  st
 stw54nm65nd.pdf pdf_icon

STW54NK30Z

STW54NM65ND N-channel 650 V, 0.055 , 49 A TO-247 FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) Features VDSS RDS(on) Order code ID (@Tjmax) max. STW54NM65ND 710 V

Другие IGBT... STW40N65M2, STW40N95K5, STW43NM50N, STW45N65M5, STW46NF30, STW48N60M2, STW48N60M2-4, STW50NB20, IRFB4115, STW55NM50N, STW56N60M2, STW56N60M2-4, STW56N65M2, STW56N65M2-4, STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10