Справочник MOSFET. STW56N60M2

 

STW56N60M2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW56N60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 26.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для STW56N60M2

 

 

STW56N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  st
 stw56n60m2.pdf

STW56N60M2 STW56N60M2

STW56N60M2N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesRDS(on) Order code VDS @ TJmax max IDSTW56N60M2 650 V 0.055 52 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 32 100% avalanche tested1 Zener-protectedTO-247Applications Switching application

 0.1. Size:907K  st
 stw56n60m2-4.pdf

STW56N60M2 STW56N60M2

STW56N60M2-4 N-channel 600 V, 0.045 typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) DDS @ T R max I STW56N60M2-4 650 V 0.055 52 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100%

 7.1. Size:596K  st
 stw56n65dm2.pdf

STW56N60M2 STW56N60M2

STW56N65DM2 N-channel 650 V, 0.058 typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on)Order code V I P DS D TOTmax. STW56N65DM2 650 V 0.065 48 A 360 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extre

 7.2. Size:724K  st
 stw56n65m2.pdf

STW56N60M2 STW56N60M2

STW56N65M2N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTW56N65M2 650 V 0.062 49 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested32 Zener-protected1ApplicationsTO-247 Switching applicationsFigure

 7.3. Size:699K  st
 stw56n65m2-4.pdf

STW56N60M2 STW56N60M2

STW56N65M2-4N-channel 650 V, 0.049 typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS RDS(on) max IDSTW56N65M2-4 650 V 0.062 49 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge4 Excellent output capacitance (Coss) profile 32 100% avalanche tes

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top