STW70N60M2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW70N60M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 68 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW70N60M2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW70N60M2 даташит

 ..1. Size:1022K  st
 stw70n60m2.pdf pdf_icon

STW70N60M2

STW70N60M2 N-channel 600 V, 0.03 typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order codes VDS @ TJmax RDS(on) max ID STW70N60M2 650 V 0.040 68 A Extremely low gate charge 3 2 1 Excellent output capacitance (Coss) profile 100% avalanche tested TO-247 Zener-protected Applications Figure 1. Internal schematic

 6.1. Size:452K  st
 stw70n60dm6-4.pdf pdf_icon

STW70N60M2

STW70N60DM6-4 Datasheet N-channel 600 V, 36 m typ., 62 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247 4 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW70N60DM6-4 600 V 42 m 62 A Fast-recovery body diode Lower RDS(on) per area vs previous generation 4 3 2 Low gate charge, input capacitance and resistance 1 100% avalanche tested TO247-4 Extremely high dv/dt

 6.2. Size:599K  st
 stw70n60dm2.pdf pdf_icon

STW70N60M2

STW70N60DM2 N-channel 600 V, 0.037 typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STW70N60DM2 600 V 0.042 66 A 446 W Fast-recovery body diode Extremely low gate charge and input 3 capacitance 2 Low on-resistance 1 100% avalanche tested Extremely high dv/d

 7.1. Size:712K  st
 stw70n65m2.pdf pdf_icon

STW70N60M2

STW70N65M2 N-channel 650 V, 0.039 typ., 63 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STW70N65M2 650 V 0.046 63 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 3 100% avalanche tested 2 Zener-protected 1 Applications TO-247 Switching applicat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW57N65M5, STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, IRLB4132, STW75N20, STW78N65M5, STW7N105K5, STW7NA100, STW7NA80, STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06