STW75N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW75N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: TO-247

Аналог (замена) для STW75N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW75N20 даташит

 ..1. Size:517K  st
 stb75n20 stp75n20 stw75n20.pdf pdf_icon

STW75N20

STB75N20 STP75N20 - STW75N20 N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STB75N20 200V

 8.1. Size:398K  1
 sth75n06 sth75n06fi stw75n06.pdf pdf_icon

STW75N20

 8.2. Size:398K  st
 stw75n06.pdf pdf_icon

STW75N20

 8.3. Size:535K  st
 stw75n60m6.pdf pdf_icon

STW75N20

STW75N60M6 Datasheet N-channel 600 V, 32 m typ., 72 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO 247 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW75N60M6 600 V 36 m 72 A Reduced switching losses 3 Lower RDS(on) per area vs previous generation 2 1 Low gate input resistance 100% avalanche tested TO-247 Zener-protected D(2, TAB) Applications Switchin

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STW57N65M5-4, STW60NE10, STW60NM50N, STW62N65M5, STW69N65M5, STW69N65M5-4, STW6NA80, STW70N60M2, AO3401, STW78N65M5, STW7N105K5, STW7NA100, STW7NA80, STW7NA90, STW80NE06-10, STW80NF06, STW80NF55-08